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MOSFET
2N7002-G (N-Channel)
RoHS Device
Features
Power dissipation : 0.35W
Equivalent Circuit
D
G : Gate
0.056(1.40)
0.047(1.20)
G
SOT-23
0.119(3.00)
0.110(2.80)
D
0.083(2.10)
0.066(1.70)
S
G
S
S : Source
D : Drain
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.103(2.60)
0.086(2.20)
Maximum Ratings (at T A =25°C)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.006(0.15)max
Parameter
Drain-Source voltage
Drain current
Power dissipation
Junction and storage temperature
Symbol
V DS
I D
P D
T J , T STG
Value
60
250
350
-55 ~ +150
Unit
V
mA
mW
°C
0.007(0.20)min
Dimensions in inches and (millimeter)
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source breakdown voltage
Conditions
V GS =0V, I D =10 μ A
Symbol
V (BR)DSS
Min
60
Typ
70
Max
Unit
V
Gate-Threshold voltage
Gate-body leakage
V DS =V GS , I D =250 μ A
V DS =0V, V GS =15V
V th(GS)
I GSS
1
1.5
2.5
10
nA
V DS =60V, V GS =0V
1
Zero gate voltage drain current
V DS =60V, V GS =0V, T J =125°C
I DSS
500
μ A
On-state drain current
V GS =10V, V DS =7.5V
V GS =4.5V, V DS =10V
I D(ON)
800
500
1300
700
mA
Drain-Source on resistance
V GS =10V, I D =250mA
r DS(ON)
1.5
3
Ω
V GS =4.5V, I D =200mA
2.0
4
Forward tran conductance
V DS =15V, I D =200mA
g ts
300
mS
Diode forward voltage
Total gate charge
Gate-Source charge
I S =200mA, V GS =0V
V DS =30V, V GS =10V, I D =250mA
V SD
Q g
Q gs
0.85
0.6
0.06
1.2
1.0
V
nC
Gate-Drain charge
Input capacitance
Q gd
C iss
0.06
25
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time
Turn-off time
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD =30V, R L =200 Ω
I D =100mA, V GEN =10V
R G =10 Ω
C OSS
C rSS
t d(ON)
t r
t d(off)
6
1.2
7.5
6
7.5
20
20
pF
nS
REV:B
QW-BTR12
Comchip Technology CO., LTD.
Page 1
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